研究领域或方向

l 利用STM原子操纵技术在半导体材料表面构造功能性人工纳米结构

l 低维电子材料的制备及表面结构和表面电子结构表征

l 非共线磁性体系

工作经历

l 2017.09 ~ 今澳门mgm4858美高梅 教授

l 2014.01 ~ 2017.06 德国Paul Drude Institute   Staff Scientist

l 2011.06 ~ 2013.12德国Fritz Haber Institute   博士后

科研项目

l III-V 族半导体InAs表面的STM原子操纵研究  主持  国家自然科学基金项目

l 磁纳米异质结构的非易失性和可编程自旋逻辑器件  骨干成员 科技部项目

学术成果

l 代表性论文

1. P. G. Lustemberg#, Y. Pan#, D.C. Grinter, B.-J. Shaw, C.L. Pang, G. Thornton, R. Prez, M. V. Ganduglia-Pirovano*, N. Nilius*.Diffusion barriers block defect occupation on reduced CeO2(111) Phys. Rev. Lett.116, 236101, (2016). (#equal contribution)

2. Y. Pan, J. Yang, S. C. Erwin, K.Kanisawa, S.Fölsch*.Reconfigurable Quantum-Dot Molecules Created by Atom Manipulation, Phys. Rev. Lett.115 , 076803, (2015)

3. Y. Pan, N. Nilius*, H. J. Freund, J. Paier*, C. Penschke, J. Sauer.Titration of Ce 3+ ions in the CeO2 (111) surface by Au adatoms, Phys. Rev. Lett. 111, 206101, (2013)

4. Y. Pan, L. Z. Zhang, L. Huang, L. F. Li, L. Meng, M. Gao, Q. Huan, X. Lin, Y. Wang, S. X. Du, H.-J. Freund, H. J. Gao*. Construction of 2D Atomic Crystals on Transition Metal Surfaces. Small 10, 2215-2225 (2014).

5. Y. Pan, H. G. Zhang, D.X. Shi, J. T. Sun, S. X. Du, F. Liu, and H.-J. Gao*.Highly ordered, continuous, single-crystalline graphene monolayer formed on Ru (0001), Adv. Mater. 21, 2777, (2009)

l 专利

1. 中国发明专利：一种制备厘米级单层或双层有序单晶石墨烯的方法，CN101451269B  （第二完成人）

2. US Patent:  METHOD FOR PREPARING SILICON INTERCALATED MONOLAYER GRAPHENE   Pub. No.: US 2011/0086756 A1 （第二完成人）

l 学术专著章节

潘毅、杜世萱、黄立、王业亮、高鸿钧；《半导体科学与技术》第二版第七章：石墨烯材料；何杰、夏建白主编，科学出版社 (2017)。

l 完整论文列表及引用

http://www.researcherid.com/rid/D-5461-2011